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三星首次展示了3nm工艺制造芯片电压只需023V

更新时间:2021-11-22

  IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Mb(32MB)容量的S

  在三星路线nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

  三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

  GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

  三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Mb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电压只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

  按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

  台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科赛灵思博通高通等,甚至据说Intel也会用。


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